Здравствуйте, нужна помощь.

1) H Br
Составьте схему заполнения валентных АО в основном и возбужденном состояниях этих атомов

2)HI, HBr, HF
Чем вы объясните повышение температуры кипения в ряду
(Я написал: Повышение Т.кип в ряду обуславливается усилением прочности связи вряду, т.к. увеличивается степень перекрывания взаимодействующих электронных облаков. - правильно ли это, какое еще объяснение можно дать)

2) BaCl2 BaCO3
Какова природа сил взаимодействия между частицами в кристаллах
и
Температура кипения какого вещества больше и почему (здесь пожалуйста поподробнее)
(Здесь я написал,что температура кип. BaCl2 > темп. кип BaCO3, из-за более высокой энергии кристаллической решетки, т.к. - не знаю что писать после "т.к.")

3) Rb V
Природа сил взаимодействия между частицами в кристаллах
(Я написал металлическая связь, но преподаватель сказал что этого мало, вроде надо что то связанное с присутствием неспаренных электронов, если они есть то возникает ковалентная связь, я незнаю как определить есть они или нет)

4) K2[Ge(OH)6
Укажите неподеленные пары электронов в лиганде
и
Составьте электронную конфигурацию комплексообразователя, распределите его электроны по атомным орбиталям (АО) и укажите АО, предоставляемые комплексообразователем для связи с лигандами.

Заранее благодарен за ответы.