46. Определить форму зон, если в полупроводнике с собственной проводимостью нор-мально к его поверхности приложено постоянное электрическое поле Е, настолько сла-бое, что везде в полупроводнике . Найти разницу между границей зоны на поверхно¬сти и в объеме полупроводника, если Е = 160 В/см, .
47. Подвижность электронов в чистом Ge при комнатной температуре (3000 К) равна 3800 см3/в•сек. Найти удельное сопротивление такого материала при комнатной температуре и при 300 К, считая, что подвижность меняется с температурой по закону , где а – постоянная. Эффективную массу электронов положить равной , эффек-тивную массу дырок – равной . При всех рассматриваемых температу¬рах счи-тать, что ширина запрещенной зоны линейно меняется с температурой, Eg = (0,785 – 4•10-4T) эВ, а отношение подвижностей электронов и дырок для простоты при¬нять по-стоянным и равным .
48. Вычислить коэффициент диффузии электронов в невырожденном германии при комнат-ной температуре ( ).
49. Найти изменение работы выхода электронов, если на поверхности полупроводника ад-сорбированы молекулы с дипольным моментом с плотностью .
50. Сопротивление p-n перехода, находящегося под напряжением 1 В, равно 10 Ом. Опре-делить сопротивление перехода при обратном напряжении.
А то я что то сообразить никак не могу
Заранее премного благодарен!