есть такая задача:
1. Удельная проводимость образца собственного кремния при T=300K равна 4,3 • 10^-4 Сим/м. Этот образец легирован донорами с концентрацией 10^21 м^-3. Найти концентрацию дырок в легированном образце, а также определить, какая часть тока в этих условиях переносится дырками. Предполагается, что легирование практически не сказывается на подвижности носителей. Подвижность носителей в кремнии принять: μ_n = 0,135 м^2/(В•с) μ_n = 0,135 м^2/(В•с); μp = 0,048 м^2/(В•с).

решал задачу так:

т.к. Т=300К , то n_n=Nd откуда p_n=n_i^2/Nd

sigma=q*n_i*(μ_n+\μ_p)

В результате получам :
n_i=1,46*10^16 m^3 и p_n=21,32*10^10

а во дальше проблема возникла...как ток найти непонятно..

2. Для германиевого диода с резким p-n-переходом начертить в полулогарифмическом мас-штабе распределение концентрации носителей заряда в переходе, если Nd= =10^15 см-3, а Na=10^16 см-3. Определить численные значения ординат, указать n- и p-области, а также об-ласть, обедненную носителями заряда. Для этих условий начертить также распределение плотности объемного заряда и потенциала в переходе.

а вот тут вообще ничего не ясно, вот, например, полулогарифмический масштаб, что это такое???

P.S.
извиняюсь за такие формулы....никак не смог с помощью тегов написать

не поняла с вашими формулами ничего, но по первой задаче лтвечу. вам не надо находить ТОК, вам надо найти какая часть тока переносится указанными носителями. ток в любом проводнике пропорционален концентрации и подвижности. поэтому ваша часть - ОТНОШЕНИЕ этих величин для дырок ко всем носителям (дыркам и электронам)...